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IRFS3307PBF中文资料

IRFS3307PBF图片

IRFS3307PBF外观图

  • 大小:382.6KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:75V; Continuous Drain Current, Id:130A; On Resistance, Rds(on):6.3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6.3 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:180nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:5150pF @ 50V
  • 功率 - 最大:200W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:管件

IRFS3307PBF供应商

更新时间:2023-01-02 23:46:23
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